[发明专利]集成在半导体结构中的烧录器的制作方法在审
| 申请号： | 202210454789.2 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114551238A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋德舟;赵斌 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/866;H01L21/8249;H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成在半导体结构中的烧录器的制作方法。具体的，其依靠现有CMOS平台的工艺条件，在具有隔离作用的浅沟槽隔离结构所对应的半导体衬底的表面上先形成用于后续步骤形成齐纳二极管的PN结的衬底层，然后在对该衬底层进行两次离子注入，以在该衬底层中形成齐纳二极管的PN结，之后在将该齐纳二极管作为本发明所提出的集成在半导体结构中的烧录器。由于本发明作为烧录器的结构是齐纳二极管，而齐纳二极管具有永久不可恢复的特性，因此，利用本发明形成的烧录器可以避免现有技术中金属熔线为了保证烧录器的一次数据读写目的，而需要在烧录时需在芯片表面开窗口，进而需要额外工艺的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体 结构 中的 烧录器 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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