[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统在审

专利信息
申请号: 202210433790.7 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN115332266A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 崔茂林;成政泰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11573 分类号: H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11578
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 尹淑梅;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构,第一基底结构包括基底、电路元件和第一键合金属层,第二基底结构连接到第一基底结构。第二基底结构包括:板层;栅电极,在第一方向上堆叠在板层下方;分离区域,穿透栅电极并且在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开;绝缘区域,从板层的上表面延伸并且穿透板层和在分离区域之间的栅电极中的至少一个;以及第二键合金属层,连接到第一键合金属层。绝缘区域具有倾斜的侧表面,使得绝缘区域的宽度在朝向第一基底结构的方向上减小。
搜索关键词: 半导体 装置 包括 数据 存储系统
【主权项】:
暂无信息
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