[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202210429826.4 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN115084220A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 黄瑞乾;江国诚;王志豪;朱熙甯;陈冠霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体装置结构。导体装置结构包括第一源极/漏极外延部件；第二源极/漏极外延部件，设置邻近于第一源极/漏极外延部件；第一介电层，设置于第一源极/漏极外延部件及第二源极/漏极外延部件之间；第一介电间隔物，设置于第一介电层下方；及第二介电层，设置于第一介电层下方且接触第一介电间隔物。第二介电层及第一介电间隔物包括不同材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
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