[发明专利]半导体器件和制造其的方法在审
| 申请号： | 202210386209.0 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN115223993A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 裵泰龙;徐训硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 程丹辰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括前道工序(FEOL)结构和连接到FEOL结构的后道工序(BEOL)结构，其中FEOL结构包括至少一个源极/漏极区和至少一个栅极结构，BEOL结构包括：以相同节距排列成一行的多条第一精细金属线，所述多条第一精细金属线中的每条具有相同的宽度；以及形成在所述多条第一精细金属线的一侧的至少一条第一宽金属线，第一宽金属线具有比第一精细金属线的宽度大的宽度，以及其中所述多条第一精细金属线中的每条包括与第一宽金属线中包括的材料不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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