[发明专利]一种碳化硅槽栅功率MOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202210358599.0 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114744021A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王颖;沈培;包梦恬;曹菲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种碳化硅槽栅功率MOSFET器件及制备方法。本发明使用n型柱包裹侧壁p型柱构成一种侧壁超结电场调制区来改善SiC功率槽栅MOSFET电学性能。本发明侧壁超结电场调制区使得沟槽底部周围电场均匀，从而起到了进一步缓解沟槽底部拐角处高场强，保护了栅氧化层。通过改变n型柱与栅极之间的距离，选取一组最优距离使得击穿电压与比导通电阻之间很好地折中。并且由n型柱包裹层与侧壁p型柱构成的侧壁超结电场调制区具有的p‑n结的面积较SiC全超结槽栅MOSFET结构小，从而导致新结构的栅‑漏电荷Q |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 mosfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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