[发明专利]三维存储器及其制备方法、存储系统

摘要

本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决栅极隔槽在形成的过程中容易发生偏移，从而容易损伤沟道结构，从而导致沟道结构漏电的问题。该制备方法包括在衬底的一侧形成叠层结构；形成贯穿叠层结构的第一隔槽，第一隔槽沿第一方向延伸，且第一隔槽沿第一方向的一端靠近或落入核心区与阶梯区之间的分界区；在第一隔槽内形成第一分隔结构；形成贯穿堆叠结构的第二隔槽，第二隔槽沿第一方向延伸，第二隔槽与第一隔槽连通；以及，在第二隔槽内形成第二分隔结构，第二分隔结构与第一分隔结构共同构成一条栅极分隔结构。上述三维存储器可以实现数据的读取和写入操作。