[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202210336307.3 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114420807B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括x个周期性交替排布的混合极性量子阱层和量子垒层；混合极性量子阱层包括y个周期性交替排布的N极性面量子阱层和Ga极性面量子阱层。本发明解决了现有量子阱中因极化电场而导致的能带弯曲和倾斜所带来的降低了LED外延片的发光效率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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