[发明专利]一种链式硅晶片去PSG层设备在审
| 申请号： | 202210332407.9 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114899125A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 钱诚;童建;李刚 | 申请（专利权）人： | 江苏亚电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 225500 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种链式硅晶片去PSG层设备，包括：根据实现的功能分为入料端传输段、水膜传输段、工艺传输段、清洗传输段、风干传输段、冷却段和出料传输段的传输装置，以及与各传输段对应的水膜生成装置、工艺槽、清洗设备和风机设备。在工艺传输段中供液管均匀地分布在工艺区底部，供液管的设置方向与硅晶片的设置方向保持一致，且在高度方向上倾斜设置，以降低工艺槽内液体扰动，尽可能地保持工艺槽内液面高度和流动方向的一致性，保证腐蚀效果的均匀性。并且通过使腐蚀液的流动方向与传输辊转动先相同后相反，通过腐蚀液流动方向的改变，使腐蚀更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 链式 晶片 psg 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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