[发明专利]一种链式硅晶片去PSG层设备

权利要求书

1.一种链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，包括：

外壳体(1)，所述外壳体(1)前后两端为开口，分别用于上料和下料；

传输装置(3)，为由平行的传输辊构成的辊式传输带且根据实现的功能分为若干段，包括，入料端传输段(31)、水膜传输段(32)、工艺传输段(34)、清洗传输段(36)、风干传输段(37)、冷却段(38)和出料传输段(39)；

水膜生成装置(2)，设置于水膜传输段(32)，用于在硅晶片上表面生成水膜；

工艺槽，对应于工艺传输段(34)设置，工艺槽内用于盛装腐蚀液并且所述工艺传输段(34)的每个传输辊均部分淹没于腐蚀液内，所述工艺传输段(34)的传输辊转动时，工艺槽内的腐蚀液能够沿传输辊上成型的上液槽带动到硅晶片的下表面；工艺槽包括槽体(60)、位于槽体(60)的中间和两端的溢流区(64)、位于相邻两个溢流区(64)之间的工艺区，工艺区底部设置有供液管(62)，供液管(62)均匀地分布在工艺区底部，供液管(62)的设置方向与硅晶片的设置方向保持一致，且在高度方向上倾斜设置，并且工艺槽内的腐蚀液的流动方向与传输辊转动方向先相同后相反；

清洗设备，设置于清洗传输段(36)，为浸洗设备和/或喷洗设备；

风机设备(5)，设置于风干传输段(37)上方和/或下方，用于向风干传输段(37)喷出的气体。

2.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，所述工艺传输段(34)的传输辊上的上液槽为螺纹，相邻的传输辊上的螺纹的螺旋方向相反。

3.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，所述工艺传输段(34)的传输辊上的上液槽为环形槽，且相邻的传输辊的环形槽相互啮合；

或者

所述工艺槽内设置有对准上液槽的毛刷；

或者

所述供液管的出口对准传输辊。

4.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，传输装置(3)的每个传输辊的一端设置有传动齿轮，且传输辊的一端设置有传动杆，传动杆上对应于每个传输辊处都设置有与传动齿轮啮合的扇形齿轮，传动杆转动时，同时带动每根传输辊一同转动。

5.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，溢流区(64)与工艺区之间设置有溢流挡板，溢流挡板上设置有沿竖直方向设置的长条孔，同时顶部为波浪形的溢流孔(641)，且溢流挡板顶部为斜面。

6.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，工艺区内的腐蚀液淹没传输辊的一半到三分之二处。

7.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，在工艺传输段(34)的首末两端还设置有第一过渡段(33)和和第二过渡段(35)，第一过渡段(33)和和第二过渡段(35)的传输辊上具有若干环形凸起，第一过渡段(33)和和第二过渡段(35)的底部为集液槽。

8.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，清洗传输段(36)前后两端设置有第一阻水辊(41)和第二阻水辊(43)，第一阻水辊(41)和第二阻水辊(43)分别设置于一传输辊上方，能够沿竖直方向滑动，用于压过硅晶片的上表面，以清除硅晶片上表面的液体。

9.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，清洗传输段(36)和风干传输段(37)上还设置有压辊(44)，压辊(44)与所述压辊(44)下方的传输辊一一对应设置。

10.根据权利要求1所述的链式硅晶片去PSG层设备，其特征在于，浸洗设备包括能够盛放清水的浸洗槽，硅晶片完全或者半淹没在浸洗槽的清水中完成清洗，清水喷管(42)设置于清洗传输段(36)的上方，能够喷出清水。