[发明专利]一种链式硅晶片去PSG层设备

说明书

本申请涉及一种链式硅晶片去PSG层设备，包括：根据实现的功能分为入料端传输段、水膜传输段、工艺传输段、清洗传输段、风干传输段、冷却段和出料传输段的传输装置，以及与各传输段对应的水膜生成装置、工艺槽、清洗设备和风机设备。在工艺传输段中供液管均匀地分布在工艺区底部，供液管的设置方向与硅晶片的设置方向保持一致，且在高度方向上倾斜设置，以降低工艺槽内液体扰动，尽可能地保持工艺槽内液面高度和流动方向的一致性，保证腐蚀效果的均匀性。并且通过使腐蚀液的流动方向与传输辊转动先相同后相反，通过腐蚀液流动方向的改变，使腐蚀更加均匀。

技术领域

本申请属于半导体光伏硅晶片生产技术领域，尤其是涉及一种链式硅晶片去PSG层设备。

背景技术

硅晶片是一种用于生产太阳能电池片的半导体材料，太阳能电池硅晶片通常要经过清洗—制绒—扩散—刻蚀等工艺，在太阳能电池片经过扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG层，必须去除。

PSG即在硅晶片表面的二氧化硅和五氧化二磷，在扩散工艺后容易在硅晶片表面留存，PSG的存在会影响外观和电性能，因此需要对太阳能电池硅晶片去除PSG层。

中国CN106784161A一种PERC太阳能电池的抛光刻蚀方法，包括的步骤为：步骤1、利用滚轮将已进行制绒扩散处理的硅片向前传送，利用喷淋设备向硅片的上表面滴水形成水膜；步骤2、滚轮继续将硅片向前传送至第一HF槽(工艺槽)，滚轮的底部浸在第一HF槽内的HF溶液中，滚轮带液转动过程中硅片的底部与滚轮上的HF溶液接触，去除所述硅片背面及边缘的PSG；步骤3、用去离子水冲洗硅片的上下表面，对硅片进行烘干处理。现有技术中，如何在工艺槽中维持工艺液面稳定，以及如何保证腐蚀液顺利经传输辊带动到硅晶片底部为提高硅晶片去PSG效果的关键影响因素。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种去PSG效果好的链式硅晶片去PSG层设备。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种链式硅晶片去PSG层设备，包括：

外壳体，所述外壳体前后两端为开口，分别用于上料和下料；

传输装置，为由平行的传输辊构成的辊式传输带且根据实现的功能分为若干段，包括，入料端传输段、水膜传输段、工艺传输段、清洗传输段、风干传输段、冷却段和出料传输段；

水膜生成装置，设置于水膜传输段，用于在硅晶片上表面生成水膜；

工艺槽，对应于工艺传输段设置，工艺槽内用于盛装腐蚀液并且所述工艺传输段的每个传输辊均部分淹没于腐蚀液内，所述工艺传输段的传输辊转动时，工艺槽内的腐蚀液能够沿传输辊上成型的上液槽带动到硅晶片的下表面；工艺槽包括槽体、位于槽体的中间和两端的溢流区、位于相邻两个溢流区之间的工艺区，工艺区底部设置有供液管，供液管均匀地分布在工艺区底部，供液管的设置方向与硅晶片的设置方向保持一致，且在高度方向上倾斜设置，并且工艺槽内的腐蚀液的流动方向与传输辊转动方向先相同后相反；

清洗设备，设置于清洗传输段，为浸洗设备和/或喷洗设备；

风机设备，设置于风干传输段上方和/或下方，用于向风干传输段喷出的气体。

优选地，本发明的链式硅晶片去PSG层设备，所述工艺传输段的传输辊上的上液槽为螺纹，相邻的传输辊上的螺纹的螺旋方向相反。

优选地，本发明的链式硅晶片去PSG层设备，所述工艺传输段的传输辊上的上液槽为环形槽，且相邻的传输辊的环形槽相互啮合；

或者

所述工艺槽内设置有对准上液槽的毛刷；

或者

所述供液管的出口对准传输辊。