[发明专利]损伤检测结构及半导体器件在审
| 申请号： | 202210332067.X | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936536A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 唐力;陈乘;姜伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种损伤检测结构及半导体器件。损伤检测结构包括至少三层金属层，相邻金属层之间设置有互连通孔层；还包括多个检测单元，检测单元包括中间金属段以及至少两个金属段组，每个金属段组包括位于同一金属层中且间隔设置的第一金属段和第二金属段，中间金属段与各金属段组位于不同的金属层，且不同的金属段组位于不同的金属层，沿由中间金属段向金属段组的方向上，远离中间金属段的金属段组中的第一金属段和第二金属段外侧端点之间的距离，大于靠近中间金属段的金属段组中的第一金属段和第二金属段外侧端点之间的距离。本公开提供的损伤检测结构，既能够提高检测单元的检测准确性，又能够节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 损伤 检测 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210332067.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
