[发明专利]一种新型浮结碳化硅功率器件的D-JTE终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210327014.9 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114883386A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;周瑜;张玉明;陈泽宇;汤晓燕;袁昊;王溶;陈利利 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 方婷 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的D‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供N+衬底；在N+衬底表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE；其中，浮结p区位于有源区，JTE位于终端区，JTE包括第一JTE区和第二JTE区；在外延结构表面生长第二N‑外延层，并在第二N‑外延层内制作表面终端；在第二N‑外延层表面生长氧化层；在第二N‑外延层表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。由于本发明引入双区JTE结构，在剂量存在偏差时，可以使整个终端结构的电场分布更加平均，具有更好的抗剂量偏移特性，从而提升离子注入剂量窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 碳化硅 功率 器件 jte 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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