[发明专利]一种耐高压碳化硅器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202210323319.2 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114420761B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 王中健;曹远迎 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都四合天行知识产权代理有限公司 51274 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种耐高压碳化硅器件及其制备方法，所述耐高压碳化硅器件包括：碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层和设置在碳化硅衬底背面的漏极金属电极，碳化硅外延层上依次设有阻断注入区和源极注入区；碳化硅外延层上刻蚀有多个第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽底部设有栅极保护区，第一沟槽表面生长有氧化层，氧化层上设有栅极多晶硅电极，栅极多晶硅电极上方覆盖有绝缘层；第二沟槽底部设有耐压注入区，第二沟槽设有多晶硅填充物；源极注入区和绝缘层上覆盖有源极金属电极，解决了现有技术存在的反向电压低、工艺复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 碳化硅 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都功成半导体有限公司，未经成都功成半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210323319.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
