[发明专利]一种碳化硅晶体的生长方法及生长设备有效
| 申请号： | 202210314813.2 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114411258B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 薛卫明;马远;武雷;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王积毅 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种碳化硅晶体的生长方法及生长设备，该方法至少包括以下步骤：将碳化硅升温，监测碳化硅的温度；当碳化硅升温至预设温度时，监测蒸发的碳化硅中硅的含量；当硅含量达到第一预设含量值时，开始降压成核；检测碳化硅生长时，生长界面结晶产生的特定波长的辐射，并记为第一特征辐射；以及当第一特征辐射与碳化硅所需晶型的特征辐射不一致时，调整第一特征辐射与所需晶型的特征辐射一致。本发明能有效调控晶体生长过程中晶型的选择。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
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