[发明专利]一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法在审
| 申请号： | 202210286211.0 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114765234A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;吕爱武;张云鹏;申开愉 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/42;C23C16/56 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 耿联军 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及P型晶硅双面太阳能电池背钝化领域。一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，按如下步骤进行步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，步骤五、第四次退火。本发明将SiON膜层进行合理的拆分，并与退火工艺拼接，可减少SiON膜层过厚时内部缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型晶硅 双面 电池 退火 增强 钝化 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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