[发明专利]一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法

权利要求书

1.一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，其特征在于：按如下步骤进行

步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，第一次SiON膜层沉积后形成的第一层SiON膜层厚度为在10-12nm，退火采用真空退火+NH₃退火，第一次总退火时间为250-400s，第一次总退火时间按秒计与第一层SiON膜层厚度按纳米数值比为30-35；

步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，第二次SiON膜层沉积后形成的第二层SiON膜层厚度为在8-10nm，退火采用真空退火+NH₃退火，第二次总退火时间为150-300s，第二次总退火时间按秒计与第二层SiON膜层厚度按纳米数值比为30-35；

步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，第三次SiON膜层沉积后形成的第三层SiON膜层厚度为在3-5nm，退火采用真空退火+N₂O+NH₃退火，第三次总退火时间为200-300s，第三次总退火时间按秒计与第三层SiON膜层厚度按纳米数值比为60-80；三层SiON膜层总厚度为25-30nm；

步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，第一层SiN膜层沉积时，沉积气SiH₄与NH₃比为1/3.5-1/4.5，沉积时间350-400s，第二层沉积气SiH4与NH3比为1/6.5-1/7.5，沉积时间250-300s，第三层沉积气SiH₄与NH3比为1/9.5-1/10.5，沉积时间100-200s，三层SiN膜层总厚度为60-70nm；

步骤五、第四次退火，SiN膜层采用真空退火，退火温度440-460℃，退火时间为100-200s。

2.根据权利要求1所述的一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，其特征在于：步骤一中沉积SiON膜层时，压力为1500-2000mTorr，功率为10000-12000W, 温度450-500℃，脉冲开关比为1:16,所通SiH4/NH3/N2O体积比为1/1/2.0-2.5/1/5.0，时间为30-35s；真空退火时不通任何气体，退火温度为450-500℃，功率、压力、占空比都为零，时长为50-100s，NH₃退火时，NH₃流量为5000-7000sccm，压力为1500-2000mTorr,温度450-500℃,功率10000-12000W,脉冲开关比为1:13至1:16，时长为200-300s。

3.根据权利要求1所述的一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，其特征在于：步骤二中沉积SiON膜层时，压力为1500-2000mTorr，功率为10000-12000W, 温度450-500℃，脉冲开关比为1:16,所通SiH4/NH3/N2O体积比为1/1/2-2.5/1/5.0，时间为25-30s，真空退火时不通任何气体，退火温度为450-500℃，功率、压力、占空比都为零，时长为50-100s，NH₃退火时，时长为100-200s ，NH₃流量为5000-7000sccm，压力为1500-2000mTorr,温度450-500℃,功率10000-12000W,脉冲开关比为1:13至1:16。