[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上依次叠置电介质层和牺牲层形成叠层结构，其中，所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，所述第二牺牲层位于所述第一牺牲层的远离所述衬底一侧；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的多个栅线隙；以及经由所述栅线隙去除所述第一牺牲层，以及去除所述第二牺牲层的一部分，其中，所述第二牺牲层未被去除的部分与所述电介质层的一部分共同形成顶部选择栅隔离结构。