[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上依次叠置电介质层和牺牲层形成叠层结构，其中，所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层，所述第二牺牲层位于所述第一牺牲层的远离所述衬底一侧；

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的多个栅线隙；以及

经由所述栅线隙去除所述第一牺牲层，以及去除所述第二牺牲层的一部分，其中，所述第二牺牲层未被去除的部分与所述电介质层的一部分共同形成顶部选择栅隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层的一部分叠置于所述第二牺牲层未被去除的部分上形成所述顶部选择栅隔离结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，经由所述栅线隙去除所述第一牺牲层，以及去除所述第二牺牲层的一部分包括：

经由所述栅线隙刻蚀所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，其中，刻蚀掉所述第一牺牲层的速率大于刻蚀掉所述第二牺牲层的速率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述栅线隙之前，还包括：

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的沟道结构，

所述沟道结构沿第一方向排列成行，多个所述行组成阵列结构，所述阵列结构中的每个所述沟道结构与相邻行的所述沟道结构交错。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述栅线隙分别沿所述第一方向和第二方向贯穿所述叠层结构，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第二方向包括所述电介质层和所述牺牲层依次堆叠的方向。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述顶部选择栅隔离结构沿所述第一向贯穿所述叠层结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述叠层结构的步骤包括：

在所述衬底上依次叠置所述电介质层和所述第一牺牲层以形成多层结构；以及

在所述多层结构的远离所述衬底的一侧依次叠置所述电介质层和所述第二牺牲层。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成所述顶部选择栅隔离结构之后，所述沟道结构组成的阵列中的至少一行沟道结构贯穿所述顶部选择栅隔离结构。

9.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一牺牲层包括第一氮化硅层，以及所述第二牺牲层包括第二氮化硅层，其中，所述第二氮化硅层的密度大于所述第一氮化硅层的密度。

10.根据权利要求1或6所述的方法，其中，还包括：

在去除所述第一牺牲层以及去除所述第二牺牲层的一部分后形成的空间中形成所述栅极层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述栅极层的步骤包括：

经由所述栅线隙去除所述第一牺牲层形成第一牺牲间隙；

经由所述栅线隙去除所述第二牺牲层的一部分形成第二牺牲间隙；以及

在所述第一牺牲间隙以及所述第二牺牲间隙中填充导电材料。

12.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

堆叠结构，位于所述衬底上，并包括电介质层和栅极层，所述电介质层和所述栅极层依次叠置；

多个栅线隙结构，贯穿所述堆叠结构并延伸至所述衬底；以及

顶部选择栅隔离结构，位于所述堆叠结构的远离所述衬底的一侧，包括第二牺牲层和所述电介质层的一部分。

13.根据权利要求12所述的存储器，其中，所述电介质层包括电介质层第一部分，所述顶部选择栅隔离结构包括第二牺牲层和所述电介质层第一部分，其中，所述电介质层第一部分与所述第二牺牲层交替堆叠。