[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质在审
申请号: | 202210273445.1 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN116072495A | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 吉野晃生;大桥直史;高崎唯史 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质,能够使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备:基板处理室,其对基板进行处理;等离子体生成室,其与所述基板处理室连通;气体供给部,其能够向所述等离子体生成室内供给气体;第一线圈,其配置为围绕所述等离子体生成室,并被供给高频电力;以及第二线圈,其配置为围绕所述等离子体生成室,轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同,并且被供给高频电力,通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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