[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质

说明书

本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备：基板处理室，其对基板进行处理；等离子体生成室，其与所述基板处理室连通；气体供给部，其能够向所述等离子体生成室内供给气体；第一线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，并被供给高频电力；以及第二线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同，并且被供给高频电力，通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。

背景技术

专利文献1记载了一种基板处理装置，其通过向两个线圈供给高频电力，从而对处理气体进行等离子体激励来进行基板处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020－161541号公报

发明内容

发明所要解决的课题

另外，在上述基板处理装置中，两个线圈直径相同且同轴地配置。因此，有可能导致基板的面内方向上的等离子体密度不均衡，基板处理的面内均一性降低。

本公开的目的在于，提供一种能够使基板处理的面内均一性提高的技术。

用于解决课题的方案

根据本公开的一方案，提供一种技术，具备：

基板处理室，其对基板进行处理；

等离子体生成室，其与所述基板处理室连通；

气体供给部，其能够向所述等离子体生成室内供给气体；

第一线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，并被供给高频电力；以及

第二线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同，并且被供给高频电力，通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。

发明的效果

根据本公开，能够使基板处理的面内均一性提高。

附图说明

图1是在本公开的一方式中适用的基板处理装置的概要结构图。

图2是表示在本公开的比较例中采用的第一谐振线圈的图。

图3是表示图2的第一谐振线圈中的电流与电压的关系的说明图。

图4是表示利用图2的第一谐振线圈对处理气体进行等离子体激励时的处理炉内的状况的图。

图5是图4的第一谐振线圈的轴向中央部的水平剖视图。

图6是表示在本公开的一方式中适用的第二谐振线圈的图。

图7是表示第一谐振线圈和第二谐振线圈中的电流与电压的关系的说明图。

图8是表示利用图7的第一谐振线圈和第二谐振线圈对处理气体进行等离子体激励时的处理炉内的状况的图。

图9是图8的第一谐振线圈和第二谐振线圈的轴向中央部的水平剖视图。

图10是表示在本公开的一方式中适用的基板处理装置的控制部(控制单元)的结构的图。

图11是表示在本公开的一方式中适用的基板处理工序的流程图。

图12是表示利用在本公开的一方式中适用的谐振线圈的变形例对处理气体进行等离子体激励时的处理炉内的状况的图。