[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

基板处理室，其对基板进行处理；

等离子体生成室，其与所述基板处理室连通；

气体供给部，其能够向所述等离子体生成室内供给气体；

第一线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，并被供给高频电力；以及

第二线圈，其配置为围绕所述等离子体生成室，轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同，并且被供给高频电力，通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在与轴向正交的方向上，所述第二线圈的电压分布的峰值与所述第一线圈的电压分布的峰值不重叠。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在轴向上，所述第二线圈的电压分布的峰值与所述第一线圈的电压分布的峰值不重叠。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述等离子体生成室的外周形成有：第一配置区域，其在所述轴向上交替地配置构成所述第一线圈的导体和构成所述第二线圈的导体；以及第二配置区域，其在所述轴向上空开间隔地仅配置所述第一线圈的导体。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一线圈的卷绕直径比所述第二线圈的卷绕直径小。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二配置区域在所述轴向上形成于比所述第一配置区域接近载置所述基板的基板载置部的一侧。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

具有排气部，该排气部能够从所述基板载置部的外周排出所述气体。

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述第一配置区域，所述第一线圈的导体和所述第二线圈的导体以不会发生电弧放电的距离分离，

在所述第二配置区域，所述第一线圈的导体之间以不会发生电弧放电的距离分离。

9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二配置区域在所述轴向上形成于比所述第一配置区域远离载置所述基板的基板载置部的一侧。

10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述等离子体生成室的外周，且隔着所述第二配置区域在与所述第一配置区域相反的一侧形成有第三配置区域，该第三配置区域在所述轴向上交替地配置所述第一线圈的导体和所述第二线圈的导体。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一线圈具有能够接地的一对接地连接部，所述一对接地连接部之间的电气长度为向所述第一线圈供给的高频电力的波长的倍增的长度。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二线圈具有能够接地的一对接地连接部，所述一对接地连接部之间的电气长度为向所述第二线圈供给的高频电力的波长的倍增的长度。

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

以所述第一线圈的电气长度与所述第二线圈的电气长度相等的方式，在所述第一线圈及所述第二线圈的至少一方连接有对电气长度进行修正的波形调整电路。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述波形调整电路是可变电容器。

15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述波形调整电路是由导电体构成的线。