[发明专利]一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构在审
| 申请号： | 202210272717.6 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114686973A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 唐卓睿;樊嘉杰;张国旗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/10;C30B30/04;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵旭 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构，属于半导体制备领域，包括由内到外依次设置的加热件、保温层和石英管壁；所述加热件包括上石墨件、下石墨件以及碳化硅侧壁，所述上石墨件和所述下石墨件均呈中空状，所述上石墨件的底面与所述下石墨件的顶面相对，且所述上石墨件的底面两侧分别通过所述碳化硅侧壁与所述下石墨件的顶面两侧相连接；其中，所述下石墨件的中空状内腔中还设置有石墨柱，所述石墨柱的两端分别连接所述中空状内腔的顶壁和底壁。本发明不但能够提高反应腔的加热效率，还能够提高其内部的温度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 生长 感应 加热 设备 反应 结构 | ||
【主权项】：
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