[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210271918.4 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115132831A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 渡边整;野濑幸则 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的课题在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：源电极和漏电极，沿着与基板的第一主面平行的第一方向排列；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极；源极场板，形成于所述第一保护膜上，电连接于所述源电极，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察时位于所述栅电极与所述漏电极之间；以及绝缘击穿抑制部，具备在从与所述第一主面平行并且与所述第一方向垂直的第二方向的剖视观察时位于所述源极场板的所述漏电极侧的端与所述漏电极的所述源极场板侧的端之间的部分，抑制所述第一保护膜的绝缘击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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