[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本公开的课题在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：源电极和漏电极，沿着与基板的第一主面平行的第一方向排列；栅电极，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极；源极场板，形成于所述第一保护膜上，电连接于所述源电极，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察时位于所述栅电极与所述漏电极之间；以及绝缘击穿抑制部，具备在从与所述第一主面平行并且与所述第一方向垂直的第二方向的剖视观察时位于所述源极场板的所述漏电极侧的端与所述漏电极的所述源极场板侧的端之间的部分，抑制所述第一保护膜的绝缘击穿。

技术领域

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，提出了一种具备连接于源电极的源极场板的半导体装置(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2019－516244号公报

专利文献2：日本特开2019－169552号公报

专利文献3：日本特表2019－537284号公报

在以往的具备源极场板的半导体装置中，当缩短栅电极与漏电极的距离时，恐怕会在源极场板与漏电极之间的保护膜产生绝缘击穿。

发明内容

本公开的目的在于提供能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

本公开的半导体装置具有：基板，具有第一主面；氮化物半导体层，形成于所述基板上；源电极和漏电极，形成于所述氮化物半导体层内，沿着与所述第一主面平行的第一方向排列；栅电极，形成于所述氮化物半导体层上，位于所述源电极与所述漏电极之间；第一保护膜，形成于所述氮化物半导体层上，覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极；源极场板，形成于所述第一保护膜上，电连接于所述源电极，在从与所述第一主面垂直的方向的俯视观察时位于所述栅电极与所述漏电极之间；以及绝缘击穿抑制部，具备在从与所述第一主面平行并且与所述第一方向垂直的第二方向的剖视观察时位于所述源极场板的所述漏电极侧的端与所述漏电极的所述源极场板侧的端之间的部分，抑制所述第一保护膜的绝缘击穿。

发明效果

根据本公开，能抑制源极场板与漏电极之间的保护膜的绝缘击穿。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的剖视图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的效果的剖视图(其一)。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的效果的剖视图(其二)。

图4是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其一)。

图5是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其二)。

图6是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其三)。

图7是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其四)。

图8是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其五)。

图9是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其六)。

图10是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(其七)。

图11是表示绝缘膜和空隙的形成方法的剖视图(其一)。

图12是表示绝缘膜和空隙的形成方法的剖视图(其二)。