[发明专利]一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法在审
| 申请号： | 202210261908.2 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114361015A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王中健;王鹏 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都四合天行知识产权代理有限公司 51274 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤：S1：在N‑外延层刻蚀对准标记；S2：使用光刻和Al离子注入形成浅沟道区；所述步骤S2中在使用光刻和Al离子注入形成浅沟道区时，整个有源区均有注入。本发明通过Al离子注入的时候，对浅沟道区内的整个有源区进行操作，使得功率器件的制备过程更加稳定，并且制备功率器件的良品率也能够得到极大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 浅源极区 注入 制备 碳化硅 功率 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
