[发明专利]一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法在审
| 申请号： | 202210261908.2 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114361015A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 王中健;王鹏 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都四合天行知识产权代理有限公司 51274 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 浅源极区 注入 制备 碳化硅 功率 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤：
S1：在N-外延层刻蚀对准标记；
S2：使用光刻和Al离子注入形成浅沟道区；
其特征在于，所述步骤S2中在使用光刻和Al离子注入形成浅沟道区时，整个有源区均有注入。
2.根据权利要求1所述的一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，其特征在于，在所述步骤S2后，还包括以下步骤：
S3：在有源区的源区和JEFT区通过光刻和N离子注入形成；
其中，浅沟道区注入的离子类型与步骤S3中的离子类型能够互相中和。
3.根据权利要求2所述的一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，其特征在于，埋层N-JEFT区通过所述N离子注入产生。
4.根据权利要求3所述的一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，其特征在于，所述N-JEFT区遍布有源区。
5.根据权利要求1所述的一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，其特征在于，在所述步骤S2后，还包括以下步骤：
P型阻挡区通过光刻和Al离子注入；
其中，P型阻挡区的范围可调节。
6.根据权利要求1所述的一种基于浅源极区注入制备碳化硅功率器件的方法，其特征在于，在所述步骤S2后，P+和N+接触区通过光刻确定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
