[发明专利]制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件

摘要

本公开提供了一种制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件。方法包括：第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；将第一温度升至第二温度，并在第二温度下，在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；将第二温度降低至设定温度，在非掺杂GaN层上生长InGaN量子阱层；在设定温度下，通入NH3，持续生长反应至第一时间，在InGaN量子阱层上获得InGaN量子点，其中，通入NH3流量为1～10slm。本公开通过InGaN层材料生长过程的生长特性直接获得InGaN量子点，具有步骤简单，易操作的优势，显著降低了获得InGaN量子点的工艺复杂度。通过NH3流量改变获得不同直径不同密度的InGaN量子点，进一步优化了InGaN量子点的发光性能，包括发光波长以及发光强度，推进了InGaN量子点在InGaN基光电器件中的应用。