[发明专利]制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件在审
| 申请号： | 202210254828.4 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114628554A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈振宇;赵德刚;梁锋;刘宗顺;陈平;杨静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;H01S5/34;H01S5/343;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 ingan 量子 方法 外延 结构 光电 器件 | ||
1.一种制备InGaN量子点的方法，其特征在于，包括：
第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；
将所述第一温度升至第二温度，并在所述第二温度下，在所述GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；
将所述第二温度降低至设定温度，在所述非掺杂GaN层上生长InGaN量子阱层；
在所述设定温度下，通入NH3，持续生长反应至第一时间，在所述InGaN量子阱层上获得InGaN量子点，其中，所述通入NH3流量为1～10slm。
2.根据权利要求1所述的制备InGaN量子点的方法，其特征在于，所述设定温度为600～700℃。
3.根据权利要求1所述的制备InGaN量子点的方法，其特征在于，所述InGaN量子阱层的厚度为1～5nm。
4.根据权利要求1所述的制备InGaN量子点的方法，其特征在于，所述InGaN量子阱层的材料为InxGa1-xN，其中In组分x为25％～50％连续可调。
5.根据权利要求1所述的制备InGaN量子点的方法，其特征在于，包括：制备包含第一组分含量的InGaN量子阱层达到第一厚度，以使所述InGaN量子阱层不发生弛豫，其中，所述第一组分含量为所述InGaN量子阱层的In组分含量，所述第一厚度为所述InGaN量子阱层的厚度。
6.根据权利要求5所述的制备InGaN量子点的方法，其特征在于，所述第一厚度为2～3nm。
7.根据权利要求1所述的制备InGaN量子点的方法，其特征在于，所述衬底材料为蓝宝石或氮化镓。
8.一种InGaN量子点，其特征在于，所述InGaN量子点由权利要求1～7任一项所述的方法制备获得。
9.一种InGaN量子点外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
依次外延于所述衬底上的GaN缓冲层、非掺杂GaN层、InGaN量子阱层、InGaN量子点；其中，
所述InGaN量子点外延结构由权利要求1～7任一项所述的方法制备获得。
10.一种蓝绿光光电器件，其特征在于，所述蓝绿光光电器件包括权利要求9所述的InGaN量子点外延结构。
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