[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用在审
| 申请号： | 202210231554.7 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114744019A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;和巍巍;汪之涵;张学强;喻双柏 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法与应用，所述沟槽型碳化硅MOSFET器件从下到上依次包括n型碳化硅衬底、n型掺杂外延层、n型电流传输层；所述n型电流传输层顶部两侧分别设有p型基区，在所述p型基区内侧设有相邻的双沟槽，所述相邻的双沟槽中间从上而下依次设有n型源区和p型沟道区；所述相邻的双沟槽内部均从上而下依次填充栅极和分裂栅，且所述栅极和所述分裂栅之间通过介质层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
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