[发明专利]一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法在审
| 申请号： | 202210221527.1 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114790573A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;仲光磊;谢雪健;彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，该方法首先制备含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块，通过SiC晶粒或多晶块锁住掺杂元素法来实现掺杂元素的均匀持续释放，密封掺杂元素的SiC晶粒或多晶块作为生长源，可极大的提高掺杂元素在晶锭轴向和径向上掺入的均匀性，得到p型SiC，减缓生长过程掺杂元素的掺入不均匀性，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 均匀 sic 生长 方法 | ||
【主权项】：
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