[发明专利]一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法在审
| 申请号： | 202210221527.1 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114790573A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈秀芳;仲光磊;谢雪健;彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 均匀 sic 生长 方法 | ||
1.一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，包括步骤如下：
1)将C粉和Si粉按摩尔比1～1.4:1的比例混合，掺入掺杂源，混合均匀，得到混合物；
2)将混合物置于碳石墨坩埚中，升温至1600-2400℃，在1-900mbar下保温3-100h，得到含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块；
3)将含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块置于生长坩埚中，充当生长源，将生长坩埚放入PVT单晶炉生长腔中，进行p型晶体生长。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤1)中，掺杂源为Al源、B源或Ga源。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤1)中，掺杂源为Al源，Al源为Al4C3或Al2O3。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤1)中，掺杂源的质量为X，C粉和Si粉的总质量为Y，0＜X:Y＜0.5。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤2)中，升温至1600-2100℃，在600～900mbar下保温4-8h，得到含掺杂元素的SiC晶粒。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤2)中，升温至2000-2400℃，在1-20mbar下保温60-100h，得到含掺杂元素的SiC多晶块。
7.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤3)中，p型晶体生长温度为2000-2300℃，生长压力为1-40mbar，晶体生长时间为50-120h。
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