[发明专利]半导体装置结构在审
申请号: | 202210209316.6 | 申请日: | 2022-03-04 |
公开(公告)号: | CN114927554A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 蓝文廷;朱熙甯;江国诚;程冠伦;王志豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包括半导体鳍片,半导体鳍片具有第一部分及第二部分,第一部分具有第一宽度,第二部分具有实质上小于第一宽度的第二宽度。第一部分具有第一表面,第二部分具有第二表面,并且第一及第二表面是由第三表面所连接。第三表面相对于第二表面形成角度,角度在约90度至约130度的范围。结构还包括栅极电极层及源极/漏极外延部件,栅极电极层设置在半导体鳍片上方,源极/漏极外延部件设置在栅极电极层的两侧上的半导体鳍片上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】:
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