[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统在审
| 申请号： | 202210198266.6 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115020374A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | C·J·拉森;徐丽芳 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L27/11521;H01L27/11551;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及形成微电子装置方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括通过电介质槽结构彼此分离的块。所述块中的至少一个包括两个顶峰区、在第一水平方向上插入所述两个顶峰区之间的体育场结构，及在第二水平方向上邻近体育场结构相对侧的两个桥接区。填充沟槽竖直上覆于所述块中的至少一个的体育场结构的水平边界且在所述水平边界内。所述填充沟槽包括所述体育场结构的所述相对阶梯结构上和所述两个桥接区的内侧壁上的电介质衬垫材料，及在所述电介质衬垫材料上且具有与所述电介质衬垫材料不同的材料组成的电介质结构。所述电介质结构基本限制在所述体育场结构的所述梯级水平区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 微电子 装置 方法 以及 相关 存储器 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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