[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统

说明书

本申请涉及形成微电子装置方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括通过电介质槽结构彼此分离的块。所述块中的至少一个包括两个顶峰区、在第一水平方向上插入所述两个顶峰区之间的体育场结构，及在第二水平方向上邻近体育场结构相对侧的两个桥接区。填充沟槽竖直上覆于所述块中的至少一个的体育场结构的水平边界且在所述水平边界内。所述填充沟槽包括所述体育场结构的所述相对阶梯结构上和所述两个桥接区的内侧壁上的电介质衬垫材料，及在所述电介质衬垫材料上且具有与所述电介质衬垫材料不同的材料组成的电介质结构。所述电介质结构基本限制在所述体育场结构的所述梯级水平区域内。

优先权要求

本申请要求2021年3月4日提交的“形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATEDMICROELECTRONIC DEVICES,MEMORY DEVICES,AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的第17/249,552号美国专利申请的提交日的权益。

技术领域

在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计和制造的领域。更具体地，本公开涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。

背景技术

微电子装置设计者通常希望通过减小各个特征的尺寸且通过减小邻近特征之间的分隔距离来增大微电子装置内的特征的集成度或密度。此外，微电子装置设计师通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。

微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置一般被提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置，包含但不限于非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用竖直存储器阵列(也称为“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含竖直延伸穿过一或多个堆叠结构的存储器单元串，所述一或多个堆叠结构包含导电材料和绝缘材料的层。每个存储器单元串可包含耦合到其上的至少一个选择装置。相比于具有常规平面(例如，二维)晶体管布置的结构，此配置准许通过在裸片上向上(例如，竖直)构建阵列来使更多数目的开关装置(例如，晶体管)位于裸片区域的单元(即，所消耗的有源表面的长度和宽度)中。

竖直存储器阵列架构大体上包含存储器装置的堆叠结构的层的导电材料与控制逻辑装置(例如，串驱动器)之间的电连接，使得可唯一地针对写入、读取或擦除操作来选择竖直存储器阵列的存储器单元。一种形成此电连接的方法包含在存储器装置的堆叠结构的层的边缘(例如，水平端)形成所谓的“阶梯”(或“梯级”)结构。阶梯结构包含限定层的导电材料的接触区的各个“梯级”，导电接触结构可放置在其上以提供对导电材料的电气通路。又可采用导电布线结构将导电接触结构耦合到控制逻辑装置。然而，常规阶梯结构制造技术可以按得到穿过层的不连续导电路径的方式分割单个层的导电材料，这可能需要使用至少一个串驱动器的多个(例如，超过一个)开关装置(例如，晶体管)以跨越层完全驱动电压和/或跨越层在相对方向上驱动电压。

发明内容