[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210197859.0 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115835644A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 塩田伦也 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/30;H10B41/30;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够增大半导体层内的晶粒的粒径的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底、及设置在所述衬底上且包含第1晶粒之第1半导体层。所述装置还具备设置在所述第1半导体层的表面的第1膜。所述装置还具备第2半导体层，该第2半导体层设置在所述第1膜的表面，通过所述第1膜内的开口部而设置在所述第1半导体层的表面，包含第2晶粒，且包含在存储单元内；且所述第2晶粒的粒径大于所述开口部内的所述第2半导体层的宽度的最大值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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