[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：衬底；

第1半导体层，设置在所述衬底上，包含第1晶粒；

第1膜，设置在所述第1半导体层的表面；以及

第2半导体层，设置在所述第1膜的表面，通过所述第1膜内的开口部而设置在所述第1半导体层的表面，包含第2晶粒，且包含在存储单元内；且

所述第2晶粒的粒径大于所述开口部内的所述第2半导体层的宽度的最大值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2晶粒的粒径大于所述第1晶粒的粒径。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备积层膜，该积层膜设置在所述衬底上，交替地包含多个绝缘层及多个电极层，

所述第1膜与所述第2半导体层设置在所述积层膜内，

所述第2晶粒的粒径大于所述积层膜内的所述第2半导体层的宽度的最大值。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第1半导体层设置在所述衬底与所述积层膜之间。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第1半导体层包含在源极线内，所述多个电极层包含字线。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第1半导体层设置在所述积层膜内。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述衬底作为源极线发挥功能，所述多个电极层包含字线。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1半导体层为多晶半导体层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1半导体层包含Si(硅)、及P(磷)或As(砷)。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2半导体层为多晶半导体层。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2半导体层包含Si(硅)、及B(硼)或Ge(锗)。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2半导体层相对于所述第1半导体层与所述第2半导体层的界面沿[001]方向取向。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2半导体层具有沿特定方向延伸的实心柱状的形状，

所述第1膜具有在所述第2半导体层的周围沿所述特定方向延伸的中空柱状的形状。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1膜包含绝缘膜。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1膜包含所述存储单元内所包含之电荷蓄积层。

16.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第1半导体层；

在所述第1半导体层的表面形成第1膜；以及

在所述第1膜的表面形成第2半导体层，且通过所述第1膜内的开口部在所述第1半导体层的表面形成第2半导体层；且

所述第1半导体层以包含第1晶粒的方式形成，

所述第2半导体层以包含第2晶粒的方式形成在存储单元内，

所述第2半导体层以所述第2晶粒的粒径大于所述开口部内的所述第2半导体层的宽度的最大值的方式形成。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中所述第2半导体层以所述第2晶粒的粒径大于所述第1晶粒的粒径的方式形成。