[发明专利]高阻薄膜制备方法及高阻薄膜在审
| 申请号： | 202210194534.7 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114686846A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 胡景鹏 | 申请（专利权）人： | 东莞市中科原子精密制造科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人： | 赵昕 |
| 地址： | 523003 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开是高阻薄膜制备方法及高阻薄膜。该方法包括：将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理；在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积；在所述导电层上制备复合叠层结构，所述复合叠层结构包括i个循环结构，每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相；在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层；对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。其中，通过ALD制备出特定比例的高阻系材料与低阻系材料的复合材料，通过调控复合材料中导电相的循环比例，从而可以获得电阻可控的MCP用高阻薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
