[发明专利]高阻薄膜制备方法及高阻薄膜

权利要求书

1.一种高阻薄膜制备方法，其特征在于，包括：

将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理；

在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积；

在所述导电层上制备复合叠层结构，所述复合叠层结构包括i个循环结构，每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相；

在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层；

对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述微通道板上进行导电层沉积，包括：

在所述微通道板上进行第一预设循环的Al₂O₃沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高阻相包括：Al₂O₃；所述低阻相包括：TiO₂或In₂O₃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述复合叠层结构的厚度小于或者等于200nm且大于或者等于100nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述n为小于或者等于20且大于或者等于8的任意整数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述m为小于或者等于15且大于或者等于4的任意整数。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二次电子发射层，包括：Al₂O₃，或，MgO，或，Al₂O₃与MgO的复合材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理，包括：

对所述原子层沉积设备进行抽真空并开启加热升温至预设温度；所述预设温度小于或者等于150℃且大于或者等于60℃；

保持预设时长后开启氮气吹扫。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理，包括：

通过真空退火炉对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。

10.一种高阻薄膜，其特征在于，包括由上述1-9任一项权利要求所述的高阻薄膜制备方法制备得到。