[发明专利]高阻薄膜制备方法及高阻薄膜

说明书

本公开是高阻薄膜制备方法及高阻薄膜。该方法包括：将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理；在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积；在所述导电层上制备复合叠层结构，所述复合叠层结构包括i个循环结构，每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相；在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层；对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。其中，通过ALD制备出特定比例的高阻系材料与低阻系材料的复合材料，通过调控复合材料中导电相的循环比例，从而可以获得电阻可控的MCP用高阻薄膜。

技术领域

本公开涉及光电技术领域，尤其涉及高阻薄膜制备方法及高阻薄膜。

背景技术

微通道板(microchannel plate，简称为：MCP)是由数百万根独立的通道式电子倍增器紧密有序排列而成，除具有出色的电子倍增性能外，还有优异的时间分辨与空间分辨等优点；因而其被广泛应用于微光夜视技术、空间探测技术、辐射探测技术等方面。但随着探测成像要求的不断提高，传统铅硅酸盐玻璃基MCP因其加工性能限制，难以满足结构及性能要求。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开实施例提供高阻薄膜制备方法及高阻薄膜。所述技术方案如下：

根据本公开实施例的第一方面，提供一种高阻薄膜制备方法，包括：

将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理；

在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积；

在所述导电层上制备复合叠层结构，所述复合叠层结构包括i个循环结构，每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相；

在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层；

对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：本公开实施例提供一种高阻薄膜制备方法，包括：将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理；在初处理后的所述微通道板上进行导电层沉积；在所述导电层上制备复合叠层结构，所述复合叠层结构包括i个循环结构，每个所述循环结构包括n个循环的高阻相和m个循环的低阻相；在所述复合叠层结构上沉积二次电子发射层；对沉积了所述二次电子发射层的所述微通道板进行结晶处理。其中，通过ALD制备出特定比例的高阻系材料与低阻系材料的复合材料，通过调控复合材料中导电相的循环比例，从而可以获得电阻可控的MCP用高阻薄膜。

在一个实施例中，所述在所述微通道板上进行导电层沉积，包括：

在所述微通道板上进行第一预设循环的Al₂O₃沉积。

在一个实施例中，所述高阻相包括：Al₂O₃；所述低阻相包括：TiO₂或In₂O₃。

在一个实施例中，所述复合叠层结构的厚度小于或者等于200nm且大于或者等于100nm。

在一个实施例中，所述n为小于或者等于20且大于或者等于8的任意整数。

在一个实施例中，所述m为小于或者等于15且大于或者等于4的任意整数。

在一个实施例中，所述二次电子发射层，包括：Al₂O₃，或，MgO，或，Al₂O₃与MgO的复合材料。

在一个实施例中，所述将预处理后的微通道板放置于原子层沉积设备进行初处理，包括：

对所述原子层沉积设备进行抽真空并开启加热升温至预设温度；所述预设温度小于或者等于150℃且大于或者等于60℃；