[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制作方法、存储系统及电子设备，通过在基底上形成停止层；在停止层上形成叠层结构；在叠层结构中形成沟道孔，沟道孔贯穿叠层结构和停止层，并延伸至基底内；对沟道孔贯穿停止层的第一孔段进行封堵，形成分隔层；在沟道孔的第二孔段中形成沟道结构，第二孔段位于分隔层背离基底的一侧，从而使得沟道结构位于停止层背离基底的一侧，因而在去除基底和沟道结构的部分底部时，能够避免反应液(比如，研磨反应液)沿沟道结构内部的缝或空隙进入沟道结构内部而破坏沟道结构中的存储单元，实现了三维存储器中沟道结构与底部源极层的良好电连接，并提高了三维存储器的良率和稳定性。