[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210176887.4 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114823311A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该制作方法包括：在衬底上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层，形成多个沿第一方向间隔分布的孔行，每个孔行包括沿第二方向间隔分布的间隔的多个孔；在孔中一一对应形成选择控制栅，形成沿第一方向分布的多个选择控制栅行；刻蚀去除两个相邻选择控制栅行之间的至少部分绝缘介质层，形成沟槽，沟槽的底壁为绝缘介质层，沟槽的至少一个侧壁包括选择控制栅的侧壁；在沟槽中至少依次形成栅氧层和栅极。该方法中，由于形成的选择控制栅的位置和形状发生了变化，所以在后续形成沟槽的过程中，只需要刻蚀绝缘介质层，避免了同时刻蚀绝缘介质层和选择控制栅以形成沟槽的步骤，从而降低了刻蚀沟槽的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210176887.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
