[发明专利]具有金属-绝缘体-金属（MIM）电容器的集成电路封装再分布层在审
| 申请号： | 202210176818.3 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN115132699A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | D·奥沙利文;G·塞德曼;B·魏达斯;H·鲍迈斯特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | IC芯片封装布线结构，包括与再分布层集成的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。IC芯片的有源侧可以通过第一级互连电耦接到再分布层。再分布层终止于适于通过第二级互连将封装耦接到主机部件的接口。MIM电容器结构可以包括适于例如350℃或更高的高温处理的材料。因此，可以使用较高温度的处理在主衬底上方制造MIM电容器结构。然后，可以使用较低温度的处理将再分布层和MIM电容器嵌入在(一种或多种)封装电介质材料内。IC芯片可以附接到封装布线结构，并且然后封装与主衬底分离，以进一步组装到主机部件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 绝缘体 mim 电容器 集成电路 封装 再分 | ||
【主权项】：
暂无信息
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