[发明专利]一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构，包括：衬底；第一隔离层，设置在所述衬底的上表面；沟道层，所述沟道层设置在所述第一隔离层的上表面，包括本征区和掺杂区，所述掺杂区的上表面与所述沟道层的上表面齐平；第一电极层，设置在所述本征区的上表面；第二电极层，设置在所述掺杂区的上表面；铁电层，设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，并且覆盖所述第一电极层的部分上表面；以及第三电极层，所述第三电极层设置在所述铁电层和所述第二电极层的上表面。本发明的半导体结构利用铁电肖特基隧穿结优异的单向导电特性，并通过铁电层控制铁电肖特基隧穿结宽度来实现器件的开关及存储，使得开关控制具有良好非易失性阻抗特性和单向导电性。