[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210172566.7 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN115802754A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 藤塚良太;铃木亮太;山田健太 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够使存储单元阵列的下部阵列与上部阵列之间的连接部处的导通电阻降低的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的存储器具备第1积层体，所述第1积层体包含沿第1方向积层且彼此电分离的多个第1电极膜。第2积层体设置在第1积层体的上方，包含沿第1方向积层且彼此电分离的多个第2电极膜。第1柱状部在第1积层体内沿第1方向延伸，包含第1绝缘膜、第1电荷储存膜、第2绝缘膜及第1半导体层。第2柱状部在第2积层体内沿第1方向延伸，包含第3绝缘膜、第2电荷储存膜、第4绝缘膜及第2半导体层。连接部设置在第1柱状部与第2柱状部之间，将第1绝缘膜与第3绝缘膜之间、第1电荷储存膜与第2电荷储存膜之间、第2绝缘膜与第4绝缘膜之间遍及第1及第2柱状部的整体而分断，且将第1半导体层与第2半导体层之间电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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