[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1积层体，包含沿第1方向积层且彼此电分离的多个第1电极膜；

第2积层体，设置在所述第1积层体的上方，包含沿所述第1方向积层且彼此电分离的多个第2电极膜；

第1柱状部，以沿所述第1方向延伸的方式设置在所述第1积层体内，包含第1绝缘膜、第1电荷储存膜、第2绝缘膜及第1半导体层；

第2柱状部，以沿所述第1方向延伸的方式设置在所述第2积层体内，包含第3绝缘膜、第2电荷储存膜、第4绝缘膜及第2半导体层；及

连接部，设置在所述第1柱状部与所述第2柱状部之间，将所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间、所述第1电荷储存膜与所述第2电荷储存膜之间、所述第2绝缘膜与所述第4绝缘膜之间遍及所述第1及第2柱状部的整体而分断，且将所述第1半导体层与所述第2半导体层之间电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述连接部还具备第1导电体，

所述第1导电体将所述第1半导体层与所述第2半导体层之间电连接，且设置在所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间、所述第1电荷储存膜与所述第2电荷储存膜之间、所述第2绝缘膜与所述第4绝缘膜之间。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第1导电体的内部的第5绝缘膜，且在该第5绝缘膜的内部具有空腔。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第1柱状部与所述第2柱状部之间的第6绝缘膜，且

所述第1导电体及所述第5绝缘膜在所述第6绝缘膜内，朝相对于所述第1方向大致垂直的方向突出。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第1导电体在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间连续，将所述第1半导体层与所述第2半导体层之间电连接。

6.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中在所述连接部中，所述第1导电体填埋在所述第1绝缘膜与所述第3绝缘膜之间、所述第1电荷储存膜与所述第2电荷储存膜之间、所述第2绝缘膜与所述第4绝缘膜之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述第1导电体由半导体材料构成。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述第1导电体由金属材料构成。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述第1导电体具备第1金属膜、及被覆该第1金属膜的第2金属膜。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中在从所述第1方向观察的俯视下，所述第1柱状部、所述第2柱状部及所述连接部呈大致圆形。

11.一种半导体存储装置的制造方法，具备如下步骤：

形成第1积层体，所述第1积层体包含沿第1方向积层且彼此隔开的多个第1层；

在所述第1积层体上形成第6绝缘膜；

在所述第1积层体及所述第6绝缘膜内形成沿所述第1方向延伸的第1开口部；

在所述第1开口部内形成第1绝缘膜、第1电荷储存层及第2绝缘膜；

将牺牲膜填埋到所述第1开口部内；

在所述第6绝缘膜上形成第2积层体，所述第2积层体包含沿所述第1方向积层且彼此隔开的多个第2层；

在所述第2积层体内形成沿所述第1方向延伸的第2开口部；

在所述第2开口部内形成第3绝缘膜、第2电荷储存层及第4绝缘膜；

将位于所述第2开口部的底部的所述第3绝缘膜、所述第2电荷储存层及所述第4绝缘膜去除；

经由所述第2开口部将所述第1开口部及所述第6绝缘膜内的所述牺牲膜去除；

在所述第1积层体的所述第1开口部内形成第1半导体层，在所述第2开口部内形成第2半导体层，以及在所述第6绝缘膜的所述第1开口部内形成与所述第1及第2半导体层连续的第3半导体层。