[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210168317.0 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114551410A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 乐伶聪;许建华;杨天应 | 申请（专利权）人： | 深圳市时代速信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02;H01L27/07;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 崔熠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件包括耗尽型HEMT器件本体和ESD防护结构，ESD防护结构包括连接于耗尽型HEMT器件本体的栅极和耗尽型HEMT器件本体的源极之间的二极管组，二极管组包括自耗尽型HEMT器件本体的源极向耗尽型HEMT器件本体的栅极方向导通的肖特基二极管；ESD防护结构位于耗尽型HEMT器件本体的栅极焊盘的下方；和/或，ESD防护结构位于耗尽型HEMT器件本体的源极加厚金属的下方，且ESD防护结构在耗尽型HEMT器件本体的衬底上的正投影与耗尽型HEMT器件本体的有源区在衬底上的正投影无交叠。该器件能在不占用器件的有效芯片面积的前提下提高ESD防护等级。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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