[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210164638.3 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN115223992A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 朴正镒;安正勋;崔允基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/48;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一导电下布线，被设置在第一金属层级并且沿第一方向延伸；第一上布线结构，被连接到所述第一导电下布线并且包括第一导电上布线和第一导电上过孔，其中，所述第一导电上布线被设置在比所述第一金属层级高的第二金属层级并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及导电插入图案，被设置在所述第一导电下布线与所述第一上布线结构之间并且被连接到所述第一导电上过孔。所述导电插入图案的上表面在所述第一方向上具有第一宽度，并且所述第一导电上过孔的底表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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