[发明专利]一种芯片中冗余金属填充方法、芯片和半导体器件有效
| 申请号： | 202210159445.9 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114220798B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 侯鹅;邱进超;王云鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王燕 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种增加芯片中电容的方法，包括：确定芯片所需增加的电容值；根据电容值确定芯片中金属层所需的冗余金属的长度值；将总长度为长度值的冗余金属插入金属层的预设区域并连接在供电电源和接地电源上，连接在供电电源上的冗余金属与连接在接地电源上的冗余金属以叉指形式排布。本申请通过插入冗余金属来增加芯片的电容，将冗余金属连接在金属层的供电电源和接地电源上，使得供电电源和接地电源之间的电容增加，即增加芯片的电容，且无需使用光罩，降低成本，简化芯片制作工艺，同时由于电容可以存储电量，还具有稳压的作用；冗余金属以叉指形式排布，可以减少占用面积，并增大单位面积增加的电容量。本申请还提供一种芯片和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 冗余 金属 填充 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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