[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202210156660.3 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN115798548A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 角礼子;前田高志;滋贺秀裕 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/04;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置。半导体存储装置具备：衬底；多个第1字线；多个第2字线；多个第1虚设字线；多个第2虚设字线；第1选择栅极线；第2选择栅极线；及驱动器；驱动器在写入动作中，对第1选择栅极线施加第1电压，对第2选择栅极线施加低于第1电压的第2电压，对最上层的第1虚设字线施加第1电压以上的第3电压，对最上层的第2虚设字线施加与第3电压不同、且高于第2电压的第4电压，对最下层的第1虚设字线施加第3电压以上的第5电压，对最下层的第2虚设字线施加与第5电压不同、且为第4电压以上的第6电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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