[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

存储器柱，从所述衬底向第1方向延伸；

多个第1字线，在所述衬底之上，与所述衬底在所述第1方向上分开，平行于所述衬底的衬底面设置，与所述存储器柱的第1侧对向；

多个第2字线，在所述衬底之上，与所述衬底在所述第1方向上分开，平行于所述衬底的所述衬底面设置，在所述第1方向上的位置分别与多个所述第1字线相同，与所述存储器柱的第2侧对向；

多个第1虚设字线，在所述第1字线之上，平行于所述衬底的所述衬底面设置，与所述存储器柱的所述第1侧对向；

多个第2虚设字线，在所述第2字线之上，平行于所述衬底的所述衬底面设置，在所述第1方向上的位置分别与多个所述第1虚设字线相同，与所述存储器柱的所述第2侧对向；

第1选择栅极线，在所述第1虚设字线之上，平行于所述衬底的所述衬底面设置，与所述存储器柱的所述第1侧对向；

第2选择栅极线，在所述第2虚设字线之上，平行于所述衬底的所述衬底面设置，在所述第1方向上的位置与所述第1选择栅极线相同，与所述存储器柱的所述第2侧对向；及

驱动器，能够供给电压；

所述驱动器在写入动作中，

对所述第1选择栅极线施加第1电压，

对所述第2选择栅极线施加低于所述第1电压的第2电压，

对最上层的所述第1虚设字线施加所述第1电压以上的第3电压，

对最上层的所述第2虚设字线施加与所述第3电压不同、且高于所述第2电压的第4电压，

对最下层的所述第1虚设字线施加所述第3电压以上的第5电压，

对最下层的所述第2虚设字线施加与所述第5电压不同、且为所述第4电压以上的第6电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3电压与所述第6电压相等。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述驱动器在所述写入动作中，

对最上层的所述第1字线施加高于所述第5电压、且高于所述第6电压的第7电压，

对最上层的所述第2字线施加低于所述第7电压、且高于所述第6电压的第8电压，

所述第1电压与所述第3电压与所述第6电压相等，

所述第5电压与所述第8电压相等。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述驱动器在所述写入动作中，

对最上层的所述第1字线施加高于所述第5电压、且高于所述第6电压的第7电压，

对最上层的所述第2字线施加低于所述第7电压、且高于所述第6电压的第8电压，

所述第1虚设字线及所述第2虚设字线分别设置有n层，

n是2以上的自然数，

所述第4电压为所述第8电压的1/(n+1)，

所述第6电压为所述第8电压的n/(n+1)。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述驱动器在所述写入动作中，

对最上层的所述第1字线施加高于所述第5电压、且高于所述第6电压的第7电压，

对最上层的所述第2字线施加高于所述第5电压、且高于所述第6电压的第8电压，

所述第1电压与所述第4电压相等，

所述第3电压与所述第5电压与所述第6电压相等。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中

所述驱动器在所述写入动作中，

对最上层的所述第1字线以外的所述第1字线施加高于所述第7电压的第9电压，

对最上层的所述第2字线以外的所述第2字线施加高于所述第5电压、高于所述第6电压、且低于所述第9电压的第10电压。